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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guā准确的近义词有哪些，准确 的近义词是什么？ng)公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品准确的近义词有哪些，准确 的近义词是什么？

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(g准确的近义词有哪些，准确 的近义词是什么？uān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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