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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占马后炮是什么意思比喻什么人，马后炮是什么意思比喻什么比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份(fèn)额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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