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　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家2020湖南交通工程学院学费多少钱一年呢，湖南交通工程学院费用(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风2020湖南交通工程学院学费多少钱一年呢，湖南交通工程学院费用(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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