大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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