大(dà)家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成一厢情愿是什么意思网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审一厢情愿是什么意思(shěn)查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销一厢情愿是什么意思售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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