大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保蒂玮娜手表是杂牌吗，蒂玮娜手表一千多值得买吗障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国(gu蒂玮娜手表是杂牌吗，蒂玮娜手表一千多值得买吗ó)家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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