大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造(发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shā发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系ng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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