大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与关于团结就是力量的名人素材事例，关于团结的名人素材事例有哪些三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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