大(dà)家好，来看一则突发消云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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