大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设e的1次方等于什么，e的1次方等于什么函数施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，e的1次方等于什么，e的1次方等于什么函数设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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