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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依三权分立是谁提出的，三权分立是谁提出的孟德斯鸠是哪个国家人据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)三权分立是谁提出的，三权分立是谁提出的孟德斯鸠是哪个国家人部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供三权分立是谁提出的，三权分立是谁提出的孟德斯鸠是哪个国家人(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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