大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网(wǎ警察扫黄为什么很少去大酒店，警察会去星级酒店扫黄吗ng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(警察扫黄为什么很少去大酒店，警察会去星级酒店扫黄吗wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(警察扫黄为什么很少去大酒店，警察会去星级酒店扫黄吗de)供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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