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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(gu在农场英语为什么用on不用at，在农场为什么用on the farmāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰在农场英语为什么用on不用at，在农场为什么用on the farm维存(cún)储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(在农场英语为什么用on不用at，在农场为什么用on the farmmó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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