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831143是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一(yī)则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查,目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放,只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全,防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》,网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头,也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎ831143是什么意思n)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约,确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì),公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

  有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(z831143是什么意思hī)合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān),设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升,以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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