大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信(xìmbb是什么公司，mbb是什么意思缩写n)息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shùmbb是什么公司，mbb是什么意思缩写)据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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