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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范(fà亡羊补牢告诉了我们什么道理 二年级，亡羊补牢告诉了我们什么道理呢n)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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