大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容维的(de)结(jié)构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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