大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　战狼3什么时候上映？美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(x战狼3什么时候上映？ī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和战狼3什么时候上映？第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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