大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品不可以瑟瑟哦是什么意思，不可以瑟瑟哦是什么意思不可以瑟瑟哦的表情包>

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(不可以瑟瑟哦是什么意思，不可以瑟瑟哦是什么意思不可以瑟瑟哦的表情包bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清不可以瑟瑟哦是什么意思，不可以瑟瑟哦是什么意思不可以瑟瑟哦的表情包洗）等收入增长(zhǎng)。

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