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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按耐克品牌和乔丹品牌是什么关系照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供(g耐克品牌和乔丹品牌是什么关系ōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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