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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息(xī遥控蝴蝶是什么样的，遥控蝴蝶的作用)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhō遥控蝴蝶是什么样的，遥控蝴蝶的作用ng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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