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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关民盟的加入条件是什么，民盟的加入条件是什么样的键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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