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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(王杰2001年后嗓子变了谁下的毒，王杰2001年后嗓子变了还唱歌吗xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储王杰2001年后嗓子变了谁下的毒，王杰2001年后嗓子变了还唱歌吗(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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