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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重虾青素精华液适合什么年龄段，用虾青素擦脸一年后(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作虾青素精华液适合什么年龄段，用虾青素擦脸一年后(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、虾青素精华液适合什么年龄段，用虾青素擦脸一年后长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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