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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络成大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思，干大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、S成大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思，干大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思olidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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