大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。不拘于时句式类型，不拘于时句式还原>

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)不拘于时句式类型，不拘于时句式还原已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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