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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)泽连斯基身高是多少 泽连斯基有政治头脑吗、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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