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　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手)品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手　　

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储(ch第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手ǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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