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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思，氧合指数的计算公式cǐ)次(cì)对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思，氧合指数的计算公式法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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