大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(反醒和反省有什么不同之处，反醒和反省的区别shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签反醒和反省有什么不同之处，反醒和反省的区别署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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