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　　汉语拼音u在什么时候上面加两点，拼音里的u什么时候加点ng>美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份汉语拼音u在什么时候上面加两点，拼音里的u什么时候加点额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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