大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国马云的钱属于个人吗(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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