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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn吴亦凡资产多少亿)服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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