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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK马云移民到哪国籍 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，马云移民到哪国籍ng>国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经(jīng马云移民到哪国籍)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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