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究极绿宝石满级了还能刷努力值吗 究极绿宝石5.4努力值怎么刷 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日(rì)前,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ),网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信息(xī)基究极绿宝石满级了还能刷努力值吗 究极绿宝石5.4努力值怎么刷础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

  此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng),只要遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月(yuè)31日(rì),中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风(fēng)险,维(wéi)护国家(jiā)安全,依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》,网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场究极绿宝石满级了还能刷努力值吗 究极绿宝石5.4努力值怎么刷份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制,或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽,催生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露,薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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