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云n是哪里的车牌号

云n是哪里的车牌号 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

  据网信(xìn)办消息,日(rì)前,网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发(fā)现(xiàn),美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查,目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称,为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险,维护(hù)国(guó)家(jiā)安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法云n是哪里的车牌号》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

  半(bàn)导体(tǐ)突(tū)发(fā)!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头,也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng),至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储云n是哪里的车牌号晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市(shì)场的供应优势,公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商(shāng)此前就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù),薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备(bèi)国产化(huà)进程加速,看好拓荆科技(薄(báo)膜(mó)沉积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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