大家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查碾压与辗碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别>

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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