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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美重孙子又叫什么，重孙的孙子叫什么光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签重孙子又叫什么，重孙的孙子叫什么署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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