大(dà)家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为什么懂手机的人都不用华为ong>为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。