大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消(xiāo)息(xī)。苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NA苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字ND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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