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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全1km等于多少米 1km是不是1公里球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商1km等于多少米 1km是不是1公里。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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