大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHSjunk food 可数吗，junk food是单数还是复数 Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(junk food 可数吗，junk food是单数还是复数cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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