大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(p唯物主义者和唯心主义者什么意思，唯心主义者是啥ǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 唯物主义者和唯心主义者什么意思，唯心主义者是啥2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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