大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审沪上两支花暗指谁 沪上两支花是哪两家(shěn)查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电沪上两支花暗指谁 沪上两支花是哪两家子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进(j沪上两支花暗指谁 沪上两支花是哪两家ìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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