大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐2升是多少斤啊 2升是多少毫升患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在2升是多少斤啊 2升是多少毫升全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期(q2升是多少斤啊 2升是多少毫升ī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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