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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)上尉是什么级别，上尉是连长还是营长，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安上尉是什么级别，上尉是连长还是营长全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(c上尉是什么级别，上尉是连长还是营长héng)为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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