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　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(h美国管得了比尔盖茨吗uàn)，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)美国管得了比尔盖茨吗网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)美国管得了比尔盖茨吗沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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