大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重饺子冻成一坨了怎么吃，饺子冻成一坨了怎么吃才好吃网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品饺子冻成一坨了怎么吃，饺子冻成一坨了怎么吃才好吃trong>

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。