北京老旧机动车解体中心北京老旧机动车解体中心

亲爱的让你㖭我下黑

亲爱的让你㖭我下黑 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

  据(jù)网信办消息,日前(qián),网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查(chá)。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查,目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全,是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

 亲爱的让你㖭我下黑 半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光亲爱的让你㖭我下黑(guāng)在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng),采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势,公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制,或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速,亲爱的让你㖭我下黑看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清(qīng)洗)等收入(rù)增长(zhǎng)。

 

未经允许不得转载:北京老旧机动车解体中心 亲爱的让你㖭我下黑

评论

5+2=