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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光心力憔悴是什么意思，心力憔悴是成语吗公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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